亚洲欧美不卡视频在线播放_国产欧美日韩综合视频专区_国产三级久久久久精品三级_国产在线欧美日韩精品一区_国产精品综合色区在线观看
Knowledge Center

碳化硅

單晶襯底生產(chǎn)流程

SiC wafer manufacturing process

當前位置 > 碳化硅單晶襯底生產(chǎn)流程

碳化硅單晶襯底生產(chǎn)流程

碳化硅單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業(yè)生產(chǎn)碳化硅襯底材料以物理氣相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，然后通過(guò)溫場(chǎng)的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長(cháng)從而獲得碳化硅晶體。整個(gè)過(guò)程在密閉空間內完成，有效的監控手段少，且變量多，對于工藝控制精度要求極高。

天岳先進(jìn)自主掌握了從粉料合成到晶體生長(cháng)、加工的完整全工藝過(guò)程。
1.

粉料合成

Si+C=SiC粉料
Si和C按1:1比例合成SiC多晶顆粒
粉料是晶體生長(cháng)的原料來(lái)源，其粒度、純度都會(huì )直接影響晶體質(zhì)量
特別是半絕緣襯底的制備過(guò)程中，對于粉料的純度要求極高
（雜質(zhì)含量低于0.5ppm）
2.

籽晶

晶格穩定
作為晶體生長(cháng)的基底，為晶體生長(cháng)提供基礎晶格結構
同樣也是決定晶體質(zhì)量的核心原料
3.

晶體生長(cháng)

Physical Vapor Transport（PVT）
物理氣相升華法（簡(jiǎn)稱(chēng)PVT）
對原料進(jìn)行加熱，通過(guò)氣相升華和溫場(chǎng)控制
使升華的組分在籽晶表面再結晶
4.

切割

襯底加工
將生長(cháng)出的晶體切成片狀
由于碳化硅的硬度僅次于金剛石，屬于高硬脆性材料
因此切割過(guò)程耗時(shí)久，易裂片
5.

研磨·拋光

MP·CMP
研磨拋光是將襯底表面加工至原子級光滑平面
襯底的表面狀態(tài)，例如表面粗糙度，厚度均勻性都會(huì )直接影響外延工藝的質(zhì)量
6.

清洗·檢測

顆?！るs質(zhì)控制
用于去除加工過(guò)程中殘留的顆粒物以及金屬雜質(zhì)
最終檢測可以獲取襯底表面、面型、晶體質(zhì)量等全面的質(zhì)量信息
幫助下游工藝進(jìn)行追溯 
>返回
? 2021 Copyright SICC Co., Ltd. All Rights Reserved.   備案號：魯ICP備11002960號-1
Top 亚洲欧美不卡视频在线播放_国产欧美日韩综合视频专区_国产三级久久久久精品三级_国产在线欧美日韩精品一区_国产精品综合色区在线观看