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產(chǎn)品信息

4H 導電型

SiC單晶襯底

4H n-type

當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底
天岳先進(jìn)不斷追求更高的晶體質(zhì)量和加工質(zhì)量
更好的滿(mǎn)足客戶(hù)的需求
目前可批量供應6英寸和8英寸導電型產(chǎn)品

*更加詳細的產(chǎn)品信息歡迎咨詢(xún)營(yíng)銷(xiāo)團隊

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基本信息

導電型
  • 晶型 4H
  • 直徑(mm) 150/200
  • 偏角(°) 4
  • 厚度(μm) 350/500
  • 表面狀態(tài) Epi-ready

電力電子器件

通過(guò)在導電型碳化硅襯底上生長(cháng)碳化硅外延層,制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應用在新能源汽車(chē),軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。
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