通過(guò)在導電型碳化硅襯底上生長(cháng)碳化硅外延層,制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應用在新能源汽車(chē),軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。