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關(guān)于天岳

概況

About SICC

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Crystallize the future.
  • 山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司
    SICC Co.,Ltd.
  • 2010年11月2日
  • 宗艷民
  • RMB  429,711,044.00
  • 山東省濟南市槐蔭區天岳南路99號
  • 濟南工廠(chǎng)   濟寧工廠(chǎng)   上海工廠(chǎng)   日本公司

From SiC to SICC

山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家專(zhuān)注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的科技型企業(yè)。公司秉承“先進(jìn)·品質(zhì)·持續”的經(jīng)營(yíng)理念,以滿(mǎn)足客戶(hù)需求、幫助客戶(hù)解決問(wèn)題為導向,重視產(chǎn)品品質(zhì)和服務(wù)品質(zhì),自主掌握工藝技術(shù),積極拓展市場(chǎng),追求業(yè)務(wù)可持續發(fā)展。

碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料,和傳統材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能,在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用前景。但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復雜的制備工藝,碳化硅單晶的生長(cháng)需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進(jìn)行,且微小的環(huán)境變化都會(huì )引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。

公司依托卓越的研發(fā)團隊和多年積累的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,重視技術(shù)引領(lǐng)、品質(zhì)提升,長(cháng)期堅持創(chuàng )新,以打造一體化解決方案為核心,完善服務(wù)、完善產(chǎn)品,力爭成為國際著(zhù)名的半導體材料公司。

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