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天岳先進(jìn) 碳化硅單晶襯底
襯底電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為使材料能滿(mǎn)足不同芯片的功能要求，需要制備電學(xué)性能不同的碳化硅襯底。
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為高電阻率的半絕緣型碳化硅襯底，和低電阻率的導電型碳化硅襯底。

4H n-type

4H-導電型碳化硅單晶襯底

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4H Semi-Insulating-type

4H-半絕緣型碳化硅單晶襯底

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