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天岳先進(jìn)董事長(cháng)宗艷民做客《硬科硬客》系列報道一
第三代半導體龍頭聚首暢談產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2024-01-10   閱讀量:1735
央廣網(wǎng)北京消息(記者 孫汝祥)
日前,以“換道超車(chē)第三代半導體”為主題的《滬市匯·硬科硬客》第二期節目在上海證券交易所成功錄制。三家科創(chuàng )板上市公司、細分領(lǐng)域行業(yè)領(lǐng)導者:天岳先進(jìn)董事長(cháng)、總經(jīng)理宗艷民,華潤微執行董事、總裁李虹,芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇做客《硬科硬客》,深入交流第三代半導體的性能優(yōu)勢、應用場(chǎng)景、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程、發(fā)展趨勢,探討“換道超車(chē)”的機遇。本期節目主導嘉賓為廣發(fā)證券發(fā)展研究中心總經(jīng)理兼電子行業(yè)首席分析師許興軍。
《滬市匯》是由上海證券交易所、中央廣播電視總臺央廣網(wǎng)聯(lián)合打造的高度融媒體的專(zhuān)屬平臺,旨在通過(guò)系列精品內容輸出,為滬市公司高質(zhì)量發(fā)展貢獻權威媒體的專(zhuān)業(yè)力量。作為《滬市匯》的拳頭子欄目,《硬科硬客》聚焦科技創(chuàng )新細分產(chǎn)業(yè)鏈龍頭,旨在為“硬科技”發(fā)展標志性靈魂人物構建全方位展示和深度交流的空間,讓創(chuàng )業(yè)科學(xué)家進(jìn)行經(jīng)驗總結、路徑復盤(pán)、行業(yè)展望以及建言獻策,進(jìn)一步引領(lǐng)、助力科創(chuàng )板產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)不斷完善進(jìn)而實(shí)現高質(zhì)量發(fā)展。

《滬市匯·硬科硬客》錄制現場(chǎng)


嘉賓們認為,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料具備卓越性能,目前產(chǎn)業(yè)處于初期階段。相比硅半導體,中國在第三代半導體領(lǐng)域和國際上處于同一起跑線(xiàn),有望實(shí)現“換道超車(chē)”,是振興和發(fā)展我國半導體產(chǎn)業(yè)的重大歷史機遇。在產(chǎn)業(yè)鏈條部分環(huán)節上,國內廠(chǎng)家已處于國際領(lǐng)先地位,第三代半導體應用場(chǎng)景豐富,行業(yè)競爭中技術(shù)能力、創(chuàng )新能力、規模、性?xún)r(jià)比等因素將成為博弈的焦點(diǎn),但這也給國內廠(chǎng)家提供了巨大的增量空間。嘉賓們一致強調,為實(shí)現中國第三代半導體“換道超車(chē)”,整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上下游必須通力合作,在守住國內市場(chǎng)份額的同時(shí)向國際上進(jìn)一步拓展。
廓清現狀:進(jìn)口替代程度幾何、缺口多大?
第三代半導體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料,與傳統硅半導體材料相比,第三代半導體材料具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高 、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,因此采用寬禁帶半導體材料制備的半導體器件能在更高的溫度下穩定運行,適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景。此外,還能以較少的電能消耗,獲得更高的功率密度,提升系統性能。整個(gè)第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、設計、器件生產(chǎn)、封裝、終端應用等環(huán)節構成。
宗艷民表示,全球第三代半導體業(yè)目前整體處于起步階段,并且在加速發(fā)展。我們國家從材料到芯片進(jìn)行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局,并且在各環(huán)節都已有具國際競爭力的企業(yè)參與。

天岳先進(jìn)董事長(cháng)、總經(jīng)理   宗艷民


國內第三代半導體的發(fā)展成就,為逐漸實(shí)現進(jìn)口替代提供了堅實(shí)基礎?!艾F在天岳先進(jìn)的襯底材料,不僅解決了國內的完全進(jìn)口替代,而且還向國外輸出?!弊谄G民說(shuō)。
趙奇指出,本土供需缺口正在縮小?!斑^(guò)去兩三年,國內第三代半導體整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都在快速發(fā)展中,時(shí)至今日,襯底、外延都已經(jīng)比較成熟了,滿(mǎn)足國內需求的同時(shí)也都已經(jīng)實(shí)現出口;SiC二極管、GaN器件也都已實(shí)現國產(chǎn)化;最難的可以用于車(chē)載主驅逆變器的SiC MOSFET器件和模塊從2023年也開(kāi)始實(shí)現量產(chǎn)?!?

芯聯(lián)集成總經(jīng)理   趙奇


“在第三代半導體進(jìn)口替代這件事情上面,應該說(shuō)產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)方向上,都已經(jīng)實(shí)現了突破,后面只是數量的逐漸地擴大?!壁w奇稱(chēng)。李虹表示,從整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō),目前國內廠(chǎng)家在襯底、外延和封測部分進(jìn)步快。

華潤微執行董事、總裁   李虹


“從進(jìn)口替代角度來(lái)講,今天國內碳化硅器件,特別是高端器件,大部分還是海外進(jìn)口,這個(gè)我們必須承認?!崩詈绫硎?,但這也是給我們從事第三代半導體的廠(chǎng)家,不管是材料、設備、器件,都提供了一個(gè)巨大的未來(lái)增量的空間。從整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō),李虹認為,國產(chǎn)化率最低的還是半導體制造設備,尤其是關(guān)鍵的外延爐、注入機、高溫退火和刻蝕設備等。SiC功率器件和模塊目前在除了主驅外的應用場(chǎng)景,國產(chǎn)產(chǎn)品已經(jīng)在逐步替代,如OBC、充電樁、逆變器、工業(yè)電源等,但是最核心同時(shí)也是用量最大的汽車(chē)主驅?xiě)梅矫?,國內?shí)現量產(chǎn)的不多。在一定時(shí)間內,國內廠(chǎng)家仍將圍繞車(chē)規級碳化硅功率器件和模塊開(kāi)展研發(fā)和產(chǎn)品提升,是未來(lái)必爭的市場(chǎng)。
“我相信,國內的廠(chǎng)家很快也會(huì )進(jìn)入國內新能源汽車(chē)的主驅系統里面去?!崩詈绫硎?。前瞻未來(lái):應用場(chǎng)景如何、競爭焦點(diǎn)何在?
法國知名半導體咨詢(xún)機構Yole預計,到2028年,整個(gè)碳化硅市場(chǎng)規模將達89億美元,氮化鎵市場(chǎng)規模將達47億美元(功率+射頻)。從應用場(chǎng)景以及市場(chǎng)規模來(lái)看,碳化硅走在了氮化鎵的前面?!昂芏鄳妙I(lǐng)域在驅動(dòng)行業(yè)的快速增長(cháng),尤其2023年我們看到了很多800伏的車(chē)上來(lái)之后,對整個(gè)碳化硅的需求,確實(shí)有了一個(gè)井噴式的提升?!痹S興軍表示。

廣發(fā)證券發(fā)展研究中心總經(jīng)理兼電子行業(yè)首席分析師   許興軍


“未來(lái)國內行業(yè)每年會(huì )以雙位數的增長(cháng)率朝前推進(jìn)?!崩詈缯J為,碳化硅市場(chǎng)目前正處于成長(cháng)期,近5年年復合增長(cháng)率超過(guò)20%,主要基于一是碳化硅主要的應用市場(chǎng)如新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、儲能等行業(yè)正處于快速發(fā)展期,二是碳化硅功率器件由于其高壓高溫高頻特性,在很多應用領(lǐng)域在逐步替代硅基產(chǎn)品的市場(chǎng)份額,比如空壓機、UPS、射頻電源等等。
“越來(lái)越多有一定技術(shù)能力的公司正在圍繞碳化硅功率器件特性設計下一代新產(chǎn)品,可以預期未來(lái)一兩年碳化硅功率器件市場(chǎng)將有質(zhì)的變化?!崩詈绫硎?。
基于在高電壓、高溫、高頻方面的性能優(yōu)勢,趙奇認為,碳化硅器件有四個(gè)主要的應用場(chǎng)景:一是新能源車(chē)的主驅逆變器,特別是采用了800V平臺后,2024年會(huì )是碳化硅器件使用量大爆發(fā)的一個(gè)年份;二是車(chē)載充電機(OBC),這個(gè)已經(jīng)是確定的、在大量裝車(chē)的一個(gè)應用場(chǎng)景;三是光伏/風(fēng)力電站和儲能的逆變器;四是大于萬(wàn)伏的超高壓輸配電,未來(lái)市場(chǎng)潛力預計可以超過(guò)新能源車(chē)。
“所以,碳化硅器件的市場(chǎng)空間是足夠的,各個(gè)調研機構預估接下來(lái)幾年的年復合增長(cháng)率都在30%-40%?!壁w奇稱(chēng)。 “未來(lái)碳化硅的應用,是一個(gè)巨大的藍海市場(chǎng),這個(gè)應該是沒(méi)有什么爭議的?!弊谄G民表示。
(央廣資本眼)
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