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単結晶

SiCウェーハ製造方法

SiC wafer manufacturing process

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単結晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結晶成長(cháng)、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質(zhì)なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法?昇華再結晶法）という成長(cháng)技術(shù)でSiC単結晶を生産しています。
結晶成長(cháng)中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長(cháng)途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術(shù)をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術(shù)を導入するなど、最先端の成長(cháng)技術(shù)に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結晶SiCウェーハとなります。
完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進(jìn)み半導體デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結晶成長(cháng)における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金屬殘留を出來(lái)るだけ防ぎます(0.5ppm以?xún)?。
2.

種結晶

SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸著(zhù)させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結晶成長(cháng)

昇華法（改良レーリー法?昇華再結晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法?昇華再結晶法）という成長(cháng)技術(shù)で
単結晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化學(xué)機械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄?検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレデ?；澹?br />
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