半絶縁型SiCウェハーは、ワイドギャップ半導體材料であり、且つ高周波動(dòng)作に対応することが出來(lái)る材料です。パワーデバイス領(lǐng)域と同様にその優(yōu)れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、５G通信技術(shù)等の発展に大きな役割が期待されています。
